Materi Kuliah

ELEKTRONIKA

      Nama          :Rahmat Fajar

      No. Bp        :1510961038

      Jurusan      :Teknik Elektro

      Fakultas     :Teknik

SEMI KONDUKTOR

 

Semikoduktor adalah suatu bahan yang banyak dipakai dalam pembuatan komponen dasar elektronika, seperti Dioda, Transistor, JFET, MOSFET sampai pada IC (Integrated Circuits). Bahan Silikon dan Germanium yang paling banyak digunakan dalam pembuatan komponen elektronika karena lebih stabil pada suhu tinggi

1.1       Teori Atom

Atom adalah partikel yang sangat kecil dan terdiri atas proton, elektron serta neutron.

Tahun 1911, Rutherford melakukan percobaan dan menghasilkan bahwa sebagian besar masa atom dan semua muatan positif berkumpul pada inti atom (di tengah-tengah atom).

Atom terdiri atas nukleus (proton dan neutron)  dengan elektron-elektron yang bergerak di sekitas nukleus yang menyerupai sistem tata surya.

Dalam konvensi ditetapkan elektron bermuatan negatif, proton bermuatan positif dan neutron tidak bermuatan.

Tahun 1913, Niels Bohr mengemukakan bahwa Elektron-elektron dari suatu atom tersusun atas beberapa kulit atau orbit yang berada pada jarak yang berbeda dari inti atom seperti gambar 1.

Gambar 1 Orbit-orbit elektron

Masing-masing orbit mempunyai tingkat energi yang mana semakin tinggi orbit maka makin tinggi energinya. Model Bohr menyatakan  orbit atom dengan penamaan mulai huruf K sampai Q seperti gambar 2.

Gambar 2 Model Bohr menyatakan orbit atom dengan huruf K s/d Q

1.2       Struktur atom bahan semirondurtor

Pada suhu nol mutlak atau -273 °C, bahan semikonduktor murni benar-benar merupakan isolator karena semua elektron valensi terikat erat pada tempatnya.

Elektron valensi adalah elektron-elektron yang terletak di kulit (orbit) terluar sebuah unsur.

Atom boron mempunyai elektron valensi 3, silikon memiliki elektron valensi 4, fosfor mempunyai elektron valensi 5, dan seterusnya, seperti tabel 1. Agar konduktivitasnya baik, maka bahan semikonduktor dicampur dengan bahan lain (doping), seperti boron, arsenikum, galium, fosfor, dan lain-lain.

Tabel 1 Susunan Elektron pada beberapa Atom

Nama Unsur	Lingkaran orbit							Jumlah elektron	Elektron valensi
	K	L	M	N	O	P	Q
Boron	2	3						5	3
Silikon	2	8	4					14	4
Fosfor	2	8	5					15	5
Galium	2	8	18	3				31	3
Germanium	2	8	18	4				32	4
Arsenikum	2	8	18	5				33	5

Bahan-bahan yang bervalensi 3 (trivalen) berfungsi membentuk bahan tipe P (bahan yang kekurangan elektron). Sedangkan bahan-bahan yang bervalensi 5 (pentavalen)  berfungsi membentuk bahan tipe N (bahan yang kelebihan elektron).

Contoh :

Jika sebuah silikon didoping dengan fosfor atau arsenikum maka bahannya disebut bahan semikonduktor tipe N karena memiliki muatan listrik negatif. Sedangkan jika didoping dengan boron atau galium maka bahannya disebut bahan semikonduktor tipe P karena memiliki muatan listrik positif.

1.3       Struktur atom silikon dan germanium

Silikon dan Germanium adalah bahan semikonduktor yang paling banyak digunakan dalam pembuatan komponen elektronika, karena sifatnya :

a.    lebih stabil pada suhu tinggi,

b.    silikon (0,6 V) lebih banyak digunakan dari pada germanium (0,3 V).

c.    Jumlah elektron silikon adalah 14 seperti gambar 3 sedangkan germanium 32.

d.    memiliki elektron valensi yang sama, yaitu 4.

Gambar 3  Struktur atom silikon

Angka +14 yang terletak pada inti atom silikon menyatakan jumlah muatan positif proton yang berfungsi mengimbangi muatan negatif elektron-elektron sehingga atom dalam keadaan netral. Gambar 4 adalah struktur atom silikon dengan empat elektro valensi  dan +4 yang artinya 4 muatan positif proton.

Gambar 4 Struktur Atom Silikon dengan Elektron Valensinya

Kulit terluar dari suatu atom selalu berupaya mempunyai jumlah elektron 8. Setiap atom selalu berusaha memperoleh konfigurasi atom-atom gas mulia seperti neon, krypton, dan sebagainya yang telah memiliki 8 elektron. Oleh karena itu, kumpulan atom silikon  akan menarik empat elektron dari empat atom tetangganya sehingga membentuk kristal seperti gambar 5. Kristal adalah susunan atom yang membentuk suatu pola ikatan yang teratur (ikatan kovalen) dan membentuk diri menjadi benda padat.

Gambar 5 Struktur Irisan Kristal Silikon

Beberapa ikatan kovalen akan pecah karena pengaruh panas.. Semakin tinggi suhu mengenai ikatan kovalen maka semakin banyak ikatan kovalen yang pecah sehingga menghasilkan elektron bebas.

Energi yang dapat memecahkan ikatan kovalen sehingga menghasilkan elektron bebas disebut energi gap (Eg). Adapun hubungan antara elektro dan kulit orbit adalah seperti gambar 6.

Gambar 6  Hubungan antara elektron dan kulit orbit

Hukum dasar hubungan antara elektron dan kulit orbit:

1.   Elektron tidak dapat berada antara dua kulit orbit.

2.   Elektron-elektron pada suatu kulit orbit punya suatu rentang tenaga.

3.   Elektron perlu cukup tenaga untuk melompat ke kulit orbit yang lain.

Apabila ikatan kovelen pecah maka akan mengakibatkan lepasnya elektron yang disebut elektron bebas. Elektron bebas ini meninggalkan tempatnya semula sehingga ruang itu menjadi kosong yang disebut hole atau lubang seperti gambar 7.

Gambar 7 Elektron lepas akibat pecahnya ikatan kovalen

Pada suhu 0K tidak ada elektro yang lepas atau berpindah dari bidang valensi ke bidang konduksi dan bila suhu dinaikkan maka dengan E_G yang cukup dapat membuat elektron berpindah dari bidang valensi ke bidang konduksi seperti gambar 8 dan gambar 9.

Gambar 8  Bidang tenaga kristal pada suku 0K

Gambar 9 Bidang tenaga Kristal pada suhu agak tinggi

Arah aliran elektron seperti gambar 10 maka kebalikannya akan membuat arah aliran hole.  

Gambar 10 Mekanisme konduksi lobang

1.4       Semikonduktor jenis n

Gambar 11 menunjukkan bahan semikonduktor jenis n dimana   diperoleh dengan cara doping dengan atom asing bervalensi 5 seperti Fosfor .

Gambar 11 Terjadinya elektron bebas pada semikonduktor jenis n

Gambar 12 Arus tenaga elektron valensi atom donor

Pada semikonduktor jenis n terbentuknya elektron disertai terbentuknya ion positif yang tidak dapat bergerak seperti ditunjukkan gamabr 12 diatas.

1.5               Semikonduktor jenis p

Gamabr 13 menunjukkan bahan semikonduktor tipe p dimana diperoleh dengan doping atom asing bervalensi 3, seperti Boron (B) atau Galium (Ga).

Gambar 13 Terjadinya hole pada semikonduktor tipe p

Gambar 14 Arus tenaga elektron valensi atom akseptor

Pada semikonduktor jenis p terbentuknya hole disertai terbentuknya ion negatif yang tidak dapat bergerak seperti ditunjukkan gambar 14 diatas.

Tugas UTS Elektronika (Aplikasi Transistor)

Rangkaian Pompa Otomatis Pengisi Tandon Air

[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA]

DAFTAR ISI

1. Tujuan

2. Alat dan Bahan

3. Landasan Teori

4. Rangkaian Simulasi

5. Link Download

1. Tujuan [kembali]

Mampu mensimulasikan rangkaian pompa otomatis pengisi tandon air 

 
2. Alat dan Bahan [kembali] 

1. Transistor 
   
   
   
   
2. Baterai
   
3. Resistor
   
4. Button
   
5. Motor
   
 

 

3. Landasan Teori [kembali]

Transistor adalah komponen elektronika multitermal, biasanya memiliki 3 terminal. Secara harfiah, kata ‘Transistor’ berarti ‘ Transfer resistor’, yaitu suatu komponen yang nilai resistansi antara terminalnya dapat diatur. Secara umum transistor terbagi dalam 3 jenis :

1.  Transistor Bipolar
2.  Transistor Unipolar
3.  Transistor Unijunction

Transistor bipolar bekerja dengan 2 macam carrier, sedangkan unipolar satu macam saja, hole atau electron. Beberapa perbandingan transistor bipolar dan unipolar :

Pada transistor bipolar, arus yang mengalir berupa arus lubang (hole) dan arus electron atau berupa pembawa muatan mayoritas dan minoritas. Transistor dapat berfungsi sebagai penguat tegangan, penguat arus, penguat daya atau sebagai saklar. Ada 2 jenis transistor yaitu PNP dan NPN. Transistor di desain dari pemanfaatan sifat diode, arus menghantar dari diode dapat dikontrol oleh electron yang ditambahkan pada pertemuan PN diode. Dengan penambahan elekdiode pengontrol ini, maka diode semi-konduktor dapat dianggap dua buah diode yang mempunyai electrode bersama pada pertemuan. Junction semacam ini disebut transistor bipolar dan dapat digambarkan sebagai berikut :

Dengan memilih electrode pengontrol dari type P atau type N sebagai electrode persekutuan antara dua diode, maka dihasilkan transistor jenis PNP dan NPN. Transistor dapat bekerja apabila diberi tegangan, tujuan pemberian tegangan pada transistor adalah agar transistor tersebut dapat mencapai suatu kondisi menghantar atau menyumbat. Baik transistor NPN maupun PNP tegangan antara emitor dan basis adalah forward bias, sedangkan antara basis dengan kolektor adalah reverse bias.

Dari cara pemberian tegangan muka didapatkan dua kondisi yaitu menghantar dan menyumbat seperti pada gambar transistor NPN dibawah ini.

Pemberian tegangan pada transistor 
Tegangan pada Vcc jauh lebih besar dari tegangan pada Veb. Diode basis-emitor mendapat forward bias, akibatnya electron mengalir dari emitor ke basis, aliran electron ini disebut arus emitor (IE). Elektron electron ini tidak mengalir dari kolektor ke basis, tetapi sebaliknya sebagian besar electron-elektron yang berada pada emitor tertarik ke kolektor, karena tegangan Vcc jauh lebih besar dari pada tegangan Veb dan mengakibatkan aliran electron dari emitor menuju kolektor melewati basis. Electron-elektron ini tidak semuanya tertarik ke kolektor tetapi sebagian kecil menjadi arus basis (IB).

Penguatan Transistor
αdc = IC / IE (perbandingan antara arus kolektor dengan arus emitter) Berdasarkan hukum kirchoff :

E = IB + IC : IC IE/IC = IB / IC + IC / IC 1/αdc = 1 / βdc + 1 1/αdc = 1/βdc + βdc/βdc

Read more at: http://elektronika-dasar.web.id/konsep-dasar-transistor/
Copyright © Elektronika Dasar

E = IB + IC : IC 
IE/IC = IB / IC + IC / IC 
1/αdc = 1 / βdc + 1 
1/αdc = 1/βdc + βdc/βdc
1/αdc = 1 + βdc / βdc 
αdc = βdc / 1 + βdc
βdc= IC / IB (perbandingan antara arus kolektor dengan arus basis)
E=IB+IC : IC 
IE/IC=IB/IC+IC/IC 
1/αdc = 1 / βdc + 1 
1/βdc = 1 / αdc – 1 
1/βdc = 1 / αdc – αdc / αdc 
1/βdc = 1 – αdc / αdc 
βdc = αdc / 1 – αdc 

Daerah kerja transistor

Daerah kerja transistor dapat dibagi dalam 3 bagian sebagai berikut :

• Daerah Aktif
   
  
  
  Suatu transistor berada didaerah aktif apabila diode basis emitter dibias forward dan diode basis kolektor berada dibias reverse.
  
   
• Daerah Saturasi
   
  Suatu transistor berada didaerah saturasi apabila diode basis emitter di bias forward dan diode basis kolektor berada dibias forward.
   
• Daerah Cut Off 
  

Suatu transistor berada pada kondisi cutoff apabila keduanya berada pada bias reverse.

 

4. Rangkaian Simulasi [kembali]

Prinsip Kerja :

 Simulasi Rangkaian

5. Link Download [kembali]

Download Rangkaian di sini
Download Video Simulasi di sini